Меню Закрыть

Транзистор кт817г характеристики цоколевка

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Кремниевые эпитаксиально – планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ817

  • Прототип КТ817 Б – BD233
  • Прототип КТ817 В – BD235
  • Прототип КТ817 Г – BD237

Особенности

  • Диапазон рабочих температур корпуса от – 60 до + 150 °C
  • Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

  • аАО.336.187 ТУ/02

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
  • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-27)Назначение (корпус КТ-27)Вывод (корпус КТ-89)Назначение (корпус КТ-89)
№1Эмиттер№1База
№2Коллектор№2Коллектор
№3База№3Эмиттер

Технические характеристики транзистора КТ817

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С

ПаpаметpыОбозн.Ед.изм.Режимы измеренияMinMax
Граничное напряжение колл- эмит
КТ817 А, А9Uкэо гp.BIэ =0,1 A
tи =0,3 – 1 мс
25
КТ817 Б, Б945
КТ817 В, В960
КТ817 Г, Г980
Обратный ток коллектора
КТ817 А, А9IкбомкАUкэ =40 В100
КТ817 Б, Б9Uкэ =45 В100
КТ817 В, В9Uкэ =60 В100
КТ817 Г, Г9Uкэ =100 В100
Обратный ток коллектор – эмиттер
КТ817 А, А9I кэrмкАUкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 Б, Б9Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 В, В9Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 Г, Г9Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм200
Статический коэффициент передачи токаh21эUкб =2 B, Iэ =1 A25275
Напряжение насыщения коллектор – эмиттерUкэ насВIк=1 A, Iб =0,1 A0,6
Читайте также:  Dell inspiron 7537 характеристики

Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817

Рекомендуем к прочтению

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

*

code

Adblock detector