Содержание
C945 – биполярный, высокочастотный, кремниевый, n-p-n транзистор средней рассеиваемой мощности. Используется в самых разнообразных учебных и коммерческих электронных схемах. Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Распиновка транзистора C945
Производится в корпусах двух типов ТО-92, SOT-23 и имеет три вывода:
Вид в корпусе ТО-92
У некоторых данного устройства другая цоколевка ТО-92. Например, у Kwang Myoung 1 – эммитер, 2 – база, 3 – коллектор.
Так выглядит в корпусе SOT-23
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Диапазон fгр у разных производителей сильно отличается. Например, у Weitron Technology, минимальная граничная частота передачи тока fгр мин. (ft min) начинается с 200 МГц (MHz), а у некоторых максимальная граничная частота передачи тока fгр макс. (ft max) уже 200 МГц (MHz).
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Комплементарная пара
Комплементарными аналогами, с прямой проводимостью (p-n-p), являются 2SA733, 2SA1266.
Маркировка
С945 промаркирован по японскому стандарту JIS. Это сокращенная маркировка транзистора 2sc945. Большинство производителей уже давно не указывают на корпусе устройства символы “2S”, так как согласно системе JIS все транзисторы маркируется начиная с “2S”. “SC” означает ВЧ-транзистор NPN-структуры (NPN HF transistor). «945» – серийный номер.
Замена и российские аналоги C945
Можно подобрать замену из таких транзисторов: KSC945, 2N2222, 2N3904, 2SC3198. 2SC1815, KSC1815, 2SC2002, 2SC3114, 2SC3331, 2SC3332 или 2SC2960. Конфигурация выводов разных производителей может отличается от C945, поэтому проверьте ее1 перед заменой в цепи. Многие радиолюбители используют российский аналог КТ3102. Однако будьте осторожней с заменой, так как PK макс (PC) этого аналога не превышает 250 мВт, а fгр не более 300 МГц.
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Как безопасно работать в цепи ?
Чтобы безопасно запустить транзистор марки C945 в Вашей схеме, не используйте его с напряжением U КЭ макс более 50 В и нагрузкой свыше 150 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте нагрев более 150 и менее минус 60 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора, не более 3 секунд на каждый вывод. Температура при пайке не должна превышать + 260 °С.
Производители
Daya Electric Group;
DCCOM (Dc Components);
Futurlec;
HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor);
KEXIN (Guangdong Kexin Industrial);
Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.);
Micro Electronics;
NEC;
Rectron Semiconductor;
SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH);
Stanson Technology;
TGS (Tiger Electronic);
UTC (Unisonic Technologies);
Weitron Technology;
Willas Electronic Corp;
Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).
Если остались вопросы по C945 или вы не можете подобрать нужный аналог, пишите в комментариях, постараемся помочь.
C945 – биполярный, высокочастотный, кремниевый, n-p-n транзистор средней рассеиваемой мощности. Используется в самых разнообразных учебных и коммерческих электронных схемах. Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Распиновка транзистора C945
Производится в корпусах двух типов ТО-92, SOT-23 и имеет три вывода:
Вид в корпусе ТО-92
У некоторых данного устройства другая цоколевка ТО-92. Например, у Kwang Myoung 1 – эммитер, 2 – база, 3 – коллектор.
Так выглядит в корпусе SOT-23
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Диапазон fгр у разных производителей сильно отличается. Например, у Weitron Technology, минимальная граничная частота передачи тока fгр мин. (ft min) начинается с 200 МГц (MHz), а у некоторых максимальная граничная частота передачи тока fгр макс. (ft max) уже 200 МГц (MHz).
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Комплементарная пара
Комплементарными аналогами, с прямой проводимостью (p-n-p), являются 2SA733, 2SA1266.
Маркировка
С945 промаркирован по японскому стандарту JIS. Это сокращенная маркировка транзистора 2sc945. Большинство производителей уже давно не указывают на корпусе устройства символы “2S”, так как согласно системе JIS все транзисторы маркируется начиная с “2S”. “SC” означает ВЧ-транзистор NPN-структуры (NPN HF transistor). «945» – серийный номер.
Замена и российские аналоги C945
Можно подобрать замену из таких транзисторов: KSC945, 2N2222, 2N3904, 2SC3198. 2SC1815, KSC1815, 2SC2002, 2SC3114, 2SC3331, 2SC3332 или 2SC2960. Конфигурация выводов разных производителей может отличается от C945, поэтому проверьте ее1 перед заменой в цепи. Многие радиолюбители используют российский аналог КТ3102. Однако будьте осторожней с заменой, так как PK макс (PC) этого аналога не превышает 250 мВт, а fгр не более 300 МГц.
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Как безопасно работать в цепи ?
Чтобы безопасно запустить транзистор марки C945 в Вашей схеме, не используйте его с напряжением U КЭ макс более 50 В и нагрузкой свыше 150 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте нагрев более 150 и менее минус 60 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора, не более 3 секунд на каждый вывод. Температура при пайке не должна превышать + 260 °С.
Производители
Daya Electric Group;
DCCOM (Dc Components);
Futurlec;
HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor);
KEXIN (Guangdong Kexin Industrial);
Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.);
Micro Electronics;
NEC;
Rectron Semiconductor;
SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH);
Stanson Technology;
TGS (Tiger Electronic);
UTC (Unisonic Technologies);
Weitron Technology;
Willas Electronic Corp;
Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).
Если остались вопросы по C945 или вы не можете подобрать нужный аналог, пишите в комментариях, постараемся помочь.
Аналоги транзистор C945
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2DC2412R | Si | NPN | 0.3 | 50 | 0.15 | 180 | 180 | SOT23 | ||||
| 2SC1623RLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 180 | SOT23 |
| 2SC1623SLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412-R | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412-S | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412KRLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412KSLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC945LT1 | Si | NPN | 0.23 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 2.2 | 200 | SOT23 |
| 2SD1501 | Si | NPN | 1 | 70 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||||
| 2STR1160 | Si | NPN | 0.5 | 60 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||
| 50C02CH-TL-E | Si | NPN | 0.7 | 60 | 50 | 5 | 0.5 | 150 | 500 | 2.8 | 300 | SOT23 |
| BRY61 | Si | PNPN | 0.25 | 70 | 70 | 70 | 0.175 | 150 | 1000 | SOT23 | ||
| BSP52T1 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| BSP52T3 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| C945 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| DNLS160 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 1 | 150 | 200 | SOT23 | ||||
| DTD123 | Si | Pre-Biased-NPN | 0.2 | 50 | 0.5 | 150 | 200 | 250 | SOT23 | |||
| ECG2408 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 65 | 0.3 | 150 | 300 | 300 | SOT23 | ||
| FMMT493A | Si | NPN | 0.5 | 60 | 1 | 150 | 500 | SOT23 | ||||
| FMMTL619 | Si | NPN | 0.5 | 50 | 1.25 | 180 | 300 | SOT23 | ||||
| L2SC1623RLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 180 | SOT23 |
| L2SC1623SLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 270 | SOT23 |
| L2SC2412KRLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| L2SC2412KSLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| MMBT945-H | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 200 | SOT23 |
| MMBT945-L | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| NSS60201LT1G | Si | NPN | 0.54 | 60 | 4 | 150 | SOT23 | |||||
| ZXTN19100CFF | Si | NPN | 1.5 | 100 | 4.5 | 150 | 200 | SOT23F | ||||
| ZXTN25050DFH | Si | NPN | 1.25 | 50 | 4 | 200 | 240 | SOT23 | ||||
| ZXTN25100DFH | Si | NPN | 1.25 | 100 | 2.5 | 175 | 300 | SOT23 |
Биполярный транзистор C945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты
Наименование производителя: C945
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
- Корпус транзистора: SOT23
- Аналоги (замена) для C945