Содержание
Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.
Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.
Кремниевые эпитаксиально — планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Аналоги КТ817
- Прототип КТ817 Б – BD233
- Прототип КТ817 В – BD235
- Прототип КТ817 Г – BD237
Особенности
- Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150 °C
- Комплиментарная пара – КТ816
Обозначение технических условий
- аАО.336.187 ТУ/02
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
- пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ817 А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
| Вывод (корпус КТ-27) | Назначение (корпус КТ-27) | Вывод (корпус КТ-89) | Назначение (корпус КТ-89) |
|---|---|---|---|
| №1 | Эмиттер | №1 | База |
| №2 | Коллектор | №2 | Коллектор |
| №3 | База | №3 | Эмиттер |
Технические характеристики транзистора КТ817
Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С
| Паpаметpы | Обозн. | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
|---|---|---|---|---|---|
| Граничное напряжение колл- эмит | |||||
| КТ817 А, А9 | Uкэо гp. | B | Iэ =0,1 A tи =0,3 — 1 мс |
25 | |
| КТ817 Б, Б9 | 45 | ||||
| КТ817 В, В9 | 60 | ||||
| КТ817 Г, Г9 | 80 | ||||
| Обратный ток коллектора | |||||
| КТ817 А, А9 | Iкбо | мкА | Uкэ =40 В | 100 | |
| КТ817 Б, Б9 | Uкэ =45 В | 100 | |||
| КТ817 В, В9 | Uкэ =60 В | 100 | |||
| КТ817 Г, Г9 | Uкэ =100 В | 100 | |||
| Обратный ток коллектор — эмиттер | |||||
| КТ817 А, А9 | I кэr | мкА | Uкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |
| КТ817 Б, Б9 | Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |||
| КТ817 В, В9 | Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |||
| КТ817 Г, Г9 | Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |||
| Статический коэффициент передачи тока | h21э | Uкб =2 B, Iэ =1 A | 25 | 275 | |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=1 A, Iб =0,1 A | 0,6 | |
Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817