Содержание
На сегодняшний день рынок оперативной памяти завален до предела, всевозможные производители предлагают комплекты различного объема и частоты. Если в сегменте высокоскоростной памяти наращивание частот какое-то время назад стабилизировалось, то увеличение объема «планок» только набирает свой ход. Но уже сейчас бывших некогда стандартом четырёх гигабайт установленной «оперативки» может не хватать в некоторых современных приложениях.
реклама
В данный момент настал такой период, что тенденция снижения цен на память, как и в 2008 году, к недавнему моменту достигла своего апогея, еще больше подогревая интерес к покупке либо быстрой оперативной памяти, либо памяти больших объемов. С недавних пор дорогие «киты» высокоскоростной и объемной «оперативки», за которые вначале просили по $200-300 и более, прилично опустились в цене, позволяя приобрести недосягаемую ранее для многих пользователей память по очень выгодной стоимости.
В данном материале будет рассмотрено три комплекта оперативной памяти объемом в 4, 8 и 16 Гбайт (уточню, каждый состоит из двух модулей: 2 х 2048, 2 х 4096 и 2 х 8192 Мбайт). Самый меньший из них — «кит» Kingston HyperX объемом 4 Гбайта, помимо него в обзоре принимают участие еще два комплекта производства ADATA объемом 8 и 16 Гбайт.
Как и положено, сначала рассмотрим «младшего брата по разуму» — оперативную память, выпущенную под известной маркой Kingston, объемом 4 Гбайта. Kingston DDR3-1600 с модельным номером KHX1600C9D3K2/4GX относится к флагманской серии HyperX и представляет собой набор из двух модулей, «суммарным весом» в 4 Гбайта (2 х 2048 Мбайт).
реклама
Также в упаковке присутствует инструкция к памяти, в которой подробно проиллюстрирована ее установка на материнскую плату и сказано о том, что производитель предоставляет на продукт пожизненную гарантию. Кстати, написано об этом на 24 языках, включая русский.
Как видно из технических характеристик памяти, она способна работать на частоте 1600 МГц с таймингами CL9.
Теперь настала пора познакомиться с внешним видом самих модулей. Память «двухголовая», то есть двухсторонняя, выполнена на шестислойном текстолите (его марку определить не удалось) зеленого цвета, на который напаяно шестнадцать «чипов», по восемь с каждой стороны (объем одной микросхемы — 128 Мбайт).
Как и у всей серии HyperX, на KHX1600C9D3K2/4GX установлены радиаторы, цвет которых у данной модели — синий. Они представляют собой простые пластины, без каких-либо дополнительных теплоотводов, лишь в верхней части есть ряд отверстий для улучшенной вентиляции. Их легко снять при помощи специальных защелок, расположенных в верхней части.
Между радиаторами и микросхемами памяти с обеих сторон проложены специальные мягкие электроизолирующие и теплопроводящие прокладки. Они приклеены липкой прозрачной субстанцией, и снять радиаторы не представляет большого труда. Не требуется даже нагрев, как это обычно бывает с модулями памяти других производителей.
После снятия радиаторов обнаружилось, что на Kingston KHX1600C9D3K2/4GX установлены микросхемы памяти производства японской компании Elpida с маркировкой J1108BFSE-DJ-F. Как известно, они очень любят поднятие параметра RAS To CAS Delay на две единицы больше, по сравнению с остальными задержками. Этим можно выиграть порядка 150 — 250 МГц в разгоне. К тому же, подобные «чипы» должны хорошо откликаться на поднятие напряжения питания. Сама память произведена на 9 неделе 2011 года.
Профили SPD хранятся в специальной микросхеме (8 контактов), напаянной на печатную плату и размещенной в её средней части.
реклама
В SPD памяти зашит XMP профиль, включение которого обеспечивает выставление значения частоты 1600 МГц, таймингов CL9-9-9-27 (параметр Command Rate не отображается, но в биосе материнской платы он автоматом устанавливается в значение 1T) и напряжения питания 1.65 В.
Кроме того, есть три дополнительных стандартных JEDEC профиля: 1066 МГц, тайминги CL7-7-7-20, напряжение питания 1.5 В; 1218 МГц, тайминги CL8-8-8-22, напряжение питания 1.5 В; 1370 МГц, тайминги CL9-9-9-25, напряжение питания 1.5 В.
Простому пользователю достаточно активировать XMP профиль в биосе материнской платы и память запустится в самом скоростном режиме. Оверклокеру же этого явно будет недостаточно, оптимальный выбор для него — ручная установка. Данную память можно прилично подразогнать, подробности ниже — в результатах тестирования.
реклама
| Производитель | Kingston |
| Название памяти | KHX1600C9D3K2/4GX |
| Серия | HyperX |
| Название модуля | Kingston 9905403-151.A00LF |
| Объем модуля, Мбайт | 2048 (2 ranks, 8 banks) |
| Общий объем памяти, Мбайт | 4096 (2 х 2048) |
| Тип модуля | Unbuffered DIMM |
| Тип памяти | DDR3 SDRAM |
| Скорость памяти, МГц | 1600 |
| Тайминги | CL9-9-9-27 CR 1T |
| Ширина модуля, бит | 64 |
| Маркировка микросхем | Elpida J1108BFSE-DJ-F |
| Наличие XMP профиля | Есть |
| Напряжение питания, В | 1.65 |
| ECC | Нет |
| Цена (на август 2011 года), $ | 35 — 40 |
Летом 2011 года компания ADATA Technology Co. объявила о расширении ассортимента выпускаемых ею под брендом XPG наборов оперативной памяти DDR3, представив продуктовую линейку Gaming Series. Её отличительные черты — стильные черные алюминиевые радиаторы и низкое штатное напряжение питания — всего 1.35 В. Память выполнена по технологии высокой плотности, входящие в серию модули получили объем 4 и 8 Гбайт (общий объем соответственно 8 и 16 Гбайт).
Рассматриваемые претенденты медленнее (номинальная частота 1333 МГц), чем ранее рассмотренная память Kingston, но зато гораздо «объемистее». Внешне оба комплекта абсолютно идентичны не только упаковкой, но и самими «планками». Отличаются лишь применением разных PCB и микросхем памяти, ну и, конечно же, объемом: у одного комплекта — 8 Гбайт, у другого — 16 Гбайт.
реклама
Упаковка выполнена в вызывающих и сочных красках, держать ее в руках — сплошное удовольствие. Первым делом в глаза бросается наклейка, на которой можно увидеть сведения о низком рабочем напряжении питания памяти — всего 1.35 В, что подразумевает её экономичное использование. Рядом приведены характеристики памяти, ее название и серия. Снизу справа под самими модулями разместился логотип, где сказано о предоставляемой на комплект пожизненной гарантии.
Обратная сторона оформлена не в пример скромнее, приведенная там на различных языках информация не несет ничего полезного.
 |
Производитель  |
Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти.
DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.
На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.
На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.
DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.
Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.
DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.
Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).
FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.
LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.
RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.
Дополнительные характеристики
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.