Intel ssd 545s tlc 128gb

Содержание

Спецификации

Сравнение продукции Intel®

Основные данные

Коллекция продукции Твердотельный накопитель Intel® серии 545s
Кодовое название Продукция с прежним кодовым названием Liberty Harbor
Емкость 128 GB
Состояние Launched
Дата выпуска Q4’17
Тип литографии 3D2 TLC
Не включенные в план выпуска продукты Нет

Производительность

Последовательное чтение (в пределах) 550 MB/s
Последовательная запись (в пределах) 440 MB/s
Случайное чтение (участок 8 ГБ) (в пределах) 70000 IOPS
Случайная запись (участок 8 ГБ) (в пределах) 80000 IOPS
Задержка — чтение 50 µs
Задержка — запись 60 µs
Питание — активный режим 4.5W
Питание — режим простоя 50mW

Надежность

Вибрация — при работе 2.17 GRMS (5-700Hz)
Вибрация — при хранении 3.13 GRMS (5-800Hz)
Ударная нагрузка (при работе и при хранении) 1500 G(Max) at 0.5 msec
Диапазон рабочих температур 0°C to 70°C
Рабочая температура (максимум) 70 °C
Рабочая температура (минимум) 0 °C
Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации) 72 TBW
Среднее время наработки на отказ >= 1.6 million hours
Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)
Гарантийный период 5 yrs

Дополнительная информация

Техническое описание Смотреть
Краткое описание продукции Смотреть

Спецификации корпуса

Вес 35 grams
Форм-фактор 2.5" 7mm
Interface SATA 3.0 6Gb/S

Усовершенствованные технологии

Расширенная защита от потери данных при отключении питания Нет
Аппаратное шифрование AES 256 bit
High Endurance Technology Нет
Мониторинг и журналирование температуры Нет
Комплексная защита данных Да
Технология Intel® Smart Response Да
Intel® Rapid Start Technology Да
Intel® Remote Secure Erase Нет

Заказ и соблюдение требований

Информация о заказе и спецификациях

Intel® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Retail Box 10 Pack

MM# 959544
Код заказа SSDSC2KW128G8XT

Intel® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Generic 50 Pack

MM# 959546
Код заказа SSDSC2KW128G8

Intel® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Retail Box Single Pack

MM# 959542
Код заказа SSDSC2KW128G8X1

Информация о соблюдении торгового законодательства

ECCN 5A992C
CCATS G160321
US HTS 8523510000

Информация о PCN/MDDS

959544 PCN | MDDS
959546 PCN | MDDS
959542 PCN | MDDS

Файлы для загрузки и ПО

Дата выпуска

Дата выпуска продукта.

Последовательное чтение (в пределах)

Скорость, с которой устройство может извлекать данные, которые формируют один нефрагментированный упорядоченный блок данных. Измеряется в МБ/с (мегабайт в секунду)

Последовательная запись (в пределах)

Скорость, с которой устройство может записывать данные в один нефрагментированный упорядоченный блок данных. Измеряется в МБ/с (мегабайт в секунду)

Случайное чтение (участок 8 ГБ) (в пределах)

Скорость, с которой SSD может извлекать данные из произвольных местоположений в памяти, в пределах 8 Гб LBA (логическая адресация блоков данных) диска. Изменяется в IOPS (операции ввода/вывода в секунду)

Случайная запись (участок 8 ГБ) (в пределах)

Скорость, с которой SSD может записывать данные в произвольные местоположения в памяти, в пределах 8 Гб LBA (логическая адресация блоков данных) диска. Изменяется в IOPS (операции ввода/вывода в секунду)

Задержка — чтение

Задержка чтения означает время, затраченное на выполнение задачи извлечения данных. Измеряется в микросекундах.

Задержка — запись

Задержка записи означает время, затраченное на выполнение задачи записи на диск. Измеряется в микросекундах.

Питание — активный режим

Активный режим потребления питания указывает на обычное потребление питание устройства, когда оно находится в рабочем состоянии.

Питание — режим простоя

Режим малого потребления питания указывает на обычное потребление питание устройства, когда оно находится в состоянии простоя.

Вибрация — при работе

Вибрация при работе указывает на проверенную возможность SSD выдерживать вибрацию в рабочем состоянии и оставаться в рабочем состоянии. Измеряется в G-force RMS (среднеквадратическое значение)

Вибрация — при хранении

Вибрация при хранении указывает на проверенную возможность SSD выдерживать вибрацию в нерабочем состоянии и оставаться в рабочем состоянии. Измеряется в G-force RMS (среднеквадратическое значение)

Ударная нагрузка (при работе и при хранении)

Ударная нагрузка указывает проверенную способность SSD выдерживать зарегистрированную ударную нагрузку как в рабочем, так и в нерабочем состоянии, оставаясь при этом действующим. Измеряется в динамической нагрузке (макс.)

Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации)

Рейтинг износоустойчивости указывает число циклов хранения данных, ожидаемое в течение жизненного цикла устройства.

Среднее время наработки на отказ

MTBF (Среднее время наработки на отказ) указывает на продолжительность прошедшего ожидаемого рабочего времени между сбоями. Измеряется в часах.

Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)

Доля неустранимых битовых ошибок (UBER) указывает на число неустранимых битовых ошибок, разделенное на общее число переданных битов во время интервала тестирования.

Форм-фактор

Форм-фактор указывает на размер и форму устройства в соответствии с отраслевыми стандартами.

Interface

Интерфейс указывает метод взаимодействия с шиной отраслевого стандарта, используемый устройством.

Расширенная защита от потери данных при отключении питания

Расширенная защита от потери данных при отключении питания подготавливает SSD-диск к неожиданному отключению системы за счет минимизации перемещаемых данных во временных буферах, и использует встроенный конденсатор, чтобы обеспечить микропрограммному обеспечению SSD-диска достаточное питание для перемещения данных из буфера передачи и других временных буферов в память NAND, тем самым защищая системные и пользовательские данные.

Аппаратное шифрование

Аппаратное шифрование — это шифрование данных, выполняемое на уровне секторов диска. Оно используется для защиты данных, хранящихся на диске, от нежелательного вторжения.

High Endurance Technology

High Endurance Technology (HET) — это технология производства твердотельных накопителей с улучшенной износостойкостью, сочетающая усовершенствованную кремниевую структуру модулей NAND флэш-памяти Intel® и технологии управления системами твердотельных накопителей, что позволяет улучшить износоустойчивость твердотельного накопителя. Износостойкость определяется объемом данных, которые могут быть записаны на SSD в течение срока его эксплуатации.

Мониторинг и журналирование температуры

Мониторинг и регистрацию температуры использует встроенный датчик температуры для контроля и регистрации воздушного потока и температуры внутри устройства. Протокол результатов можно просмотреть с помощью команды SMART.

Комплексная защита данных

Функция End-to-End Data Protection обеспечивает безопасность данных при их перемещении на твердотельный накопитель и обратно.

Технология Intel® Smart Response

Технология Intel® Smart Response сочетает высокую производительность небольших твердотельных накопителей с большими объемами жестких дисков.

Intel® Rap >Технология Intel® Rapid Start позволяет быстро выводить систему из состояния гибернации.

Intel® Remote Secure Erase

Intel® Remote Secure Erase предоставляет ИТ-администраторам безопасный метод удаленного стрирания твердотельных дисков Intel из привычной консоли управления, если система удаляется или перепрофилируется. Это обеспечивает немедленное повторное использование, при сохранении административного времени и затрат.

Дополнительные варианты поддержки Твердотельный накопитель Intel® серии 545s (128 ГБ, 2,5 дюйма, SATA, 6 Гбит/с, 3D2, TLC)

Вам нужна дополнительная помощь?

Оставьте отзыв

Наша цель — сделать семейство инструментов ARK максимально полезным для вас ресурсом. Оставьте свои вопросы, комментарии или предложения здесь. Вы получите ответ в течение 2 рабочих дней.

Ваши комментарии отправлены. Спасибо за ваш отзыв.

Предоставленная вами персональная информация будет использована только для ответа на этот запрос. Ваше имя и адрес электронной почты не будут добавлены ни в какие списки рассылок, и вы не будете получать электронные сообщения от корпорации Intel без вашего запроса. Нажимая кнопку «Отправить», вы подтверждаете принятие Условий использования Intel и понимание Политики конфиденциальности Intel.

Вся информация, приведенная в данном документе, может быть изменена в любое время без предварительного уведомления. Корпорация Intel сохраняет за собой право вносить изменения в цикл производства, спецификации и описания продукции в любое время без уведомления. Информация в данном документе предоставлена «как есть». Корпорация Intel не делает никаких заявлений и гарантий в отношении точности данной информации, а также в отношении характеристик, доступности, функциональных возможностей или совместимости перечисленной продукции. За дополнительной информацией о конкретных продуктах или системах обратитесь к поставщику таких систем.

Классификации Intel приведены исключительно в информационных целях и состоят из номеров классификации экспортного контроля (ECCN) и номеров Гармонизированных таможенных тарифов США (HTS). Классификации Intel должны использоваться без отсылки на корпорацию Intel и не должны трактоваться как заявления или гарантии в отношении правильности ECCN или HTS. В качестве импортера и/или экспортера ваша компания несет ответственность за определение правильной классификации вашей транзакции.

Формальные определения свойств и характеристик продукции представлены в техническом описании.

‡ Эта функция может присутствовать не во всех вычислительных системах. Свяжитесь с поставщиком, чтобы получить информацию о поддержке этой функции вашей системой или уточнить спецификацию системы (материнской платы, процессора, набора микросхем, источника питания, жестких дисков, графического контроллера, памяти, BIOS, драйверов, монитора виртуальных машин (VMM), платформенного ПО и/или операционной системы) для проверки совместимости с этой функцией. Функциональные возможности, производительность и другие преимущества этой функции могут в значительной степени зависеть от конфигурации системы.

Для технологии Intel® Smart Response требуются подходящий процессор Intel® Core™, набор микросхем с поддержкой данной технологии, программное обеспечение технологии хранения Intel® Rapid и надлежащая гибридная конфигурация накопителей (жесткий диск и твердотельный накопитель меньшей емкости). Результаты могут различаться в зависимости от конфигурации системы. Для получения дополнительной информации свяжитесь с производителем своей системы.

Для технологии Intel® Rapid Start требуется соответствующий процессор Intel®, ПО Intel® и обновление BIOS, а также твердотельный или гибридный накопитель. Результаты могут различаться в зависимости от конфигурации системы. Для получения дополнительной информации свяжитесь с производителем своей системы.

Анонсированные артикулы (SKUs) на данный момент недоступны. Обратитесь к графе «Дата выпуска» для получения информации о доступности продукции на рынке.

Илья Гавриченков

21 ноября 2017

Трёхмерная 64-слойная флеш-память всё чаще используется в массовых твердотельных накопителях. Нам уже удалось подробно познакомиться с одним из продуктов, где недавно появилась такая память, – с обновлённым Samsung 850 EVO. Но данный SSD – далеко не единственный на сегодняшний день пример накопителя с 64-слойной TLC 3D NAND внутри. Серьёзным опережением конкурентов в деле разработки и внедрения многослойной флеш-памяти, которое доходило порой до 12-18 месяцев, компания Samsung могла похвастаться раньше, но сегодня от этого разрыва не осталось и следа. Более того, Samsung 850 EVO – это даже не первый на рынке массовый продукт, в котором нашла применение 64-слойная флеш-память.

Опередить бывшего технологического лидера внезапно удалось компании Intel, которая смогла наладить выпуск накопителей на базе собственной 64-слойной TLC 3D NAND в начале лета, когда в Samsung 850 EVO всё ещё использовалась память прошлого поколения с 48 слоями. Правда, пусть Samsung и запустила производство 64-слойной флеш-памяти парой месяцев позднее, зато сделала это с гораздо большим размахом. Тем не менее факт остаётся фактом: 64-слойная NAND сегодня – далеко не уникальное явление, доступное лишь избранным.

Потребительских накопителей, построенных на базе трёхмерной 64-слойной 3D NAND, на самом деле уже немало. Кроме Samsung и Intel освоила производство подобной памяти собственного дизайна (BiCS3) и Toshiba вместе с Western Digital. А совсем недавно они также запустили и серии продуктов на её основе: Toshiba TR200, SanDisk Ultra 3D и Western Digital Blue 3D. Но и этими моделями дело не ограничивается. Toshiba при посредничестве Phison начала поставлять собственную трёхмерную 64-слойную TLC 3D NAND на открытый рынок, поэтому в самое ближайшее время мы увидим массу достаточно неожиданных новинок от производителей второго-третьего эшелонов, где тоже будет использоваться 64-слойная память.

Столь большой и резко возникший интерес к трёхмерной памяти нового поколения совсем не случаен. 64-слойная память наконец-то смогла явно обозначить все плюсы многослойной компоновки ячеек. Современное поколение 3D NAND предлагает заметно более высокую плотность хранения данных и обладает более низкой по сравнению с планарной памятью себестоимостью, а благодаря увеличенному размеру ячеек она способна обеспечить неплохой уровень производительности и надёжности. Массовый переход индустрии на повсеместное применение 3D NAND сдерживается разве только производственными возможностями полупроводниковых предприятий. Тем не менее ожидается, что уже в следующем году объёмы поставок трёхмерной флеш-памяти окончательно превзойдут поставки планарной памяти, а это неминуемо отразится на структуре ассортимента доступных в продаже твердотельных накопителей.

Но прежде чем заводить речь о перспективах рынка потребительских SSD в свете повсеместного внедрения 3D NAND нового поколения, неплохо бы посмотреть, с чего всё началось. Поэтому Intel SSD 545s мы решили посвятить отдельный обзор. Ведь этим твердотельным накопителем, который стал пионерским решением на базе 64-слойной TLC 3D NAND, Intel хочет вернуть себе утраченные позиции в потребительском сегменте. То, что Intel в своё время отказалась внедрять на своём производстве флеш-памяти 16-нм техпроцесс, в конечном итоге привело её к большим трудностям с формированием модельного ряда. Компании даже приходилось закупать память на стороне, у SK Hynix, и это серьёзно ограничивало свободу творчества интеловских инженеров и отрицательно сказывалось на производительности разрабатываемых ими решений. Теперь же никаких проблем подобного рода нет, и Intel SSD 545s – это продукт совершенно нового уровня, который с точки зрения потребительских характеристик не имеет почти ничего общего с прошлым и достаточно спорным SATA SSD компании — 540s.

Название новинки Intel SSD 545s недвусмысленно намекает на то, что мы имеем дело с апгрейдом модели SSD 540s, и это в общем-то верно. Однако, честно говоря, модельный номер справедливо было бы нарастить гораздо заметнее, ведь SSD 545s и его предшественник различаются как небо и земля. Они не сходятся ни по контроллеру, ни по используемой памяти. Да и найти что-то общее в характеристиках быстродействия этих моделей очень непросто.

Тем не менее преемственность всё же прослеживается хотя бы потому, что, как и раньше, Intel продолжает своё сотрудничество с тайваньским производителем контроллеров Silicon Motion. Иными словами, SSD 545s – это ещё один, уже третий по счёту, потребительский накопитель Intel, в основе которого лежит контроллер SMI. Но в данном случае это – не знакомая нам микросхема SM2258, которая используется в SSD 540s, а более новый чип SM2259. По всей видимости, у Intel выстроены с Silicon Motion какие-то особые отношения, поскольку никаких других твердотельных накопителей, где бы использовался контроллер SMI SM2259, на рынке пока нет. Но данная разработка общедоступна, и со временем производители второго-третьего эшелона должны взять её на вооружение вслед за Intel.

Тем более что смысл перехода с SM2258 на SM2259 вполне очевиден. Хотя архитектура в новой модификации контроллера не изменилась — он по-прежнему основан на 32-битном RISC-процессоре и использует для общения с массивом флеш-памяти четыре канала, его тактовая частота увеличена. Благодаря этому SM2259 способен обеспечивать примерно на 10 процентов более высокую производительность при случайных операциях. Кроме того, в новом чипе добавлена коррекция ошибок при обработке данных внутри контроллера, что увеличивает надёжность построенных на нём платформ.

Как и в случае с SSD 540s, для нового SATA SSD разработчики Intel не стали брать у Silicon Motion платформу SM2259 в её эталонном виде, а написали для неё собственную микропрограмму. Здесь следует напомнить, что в прошлый раз подобный опыт обернулся серьёзными проблемами, и интеловская микропрограмма для SM2258 оказалась даже хуже стандартной. Например, в Intel SSD 540s не было поддержки режима записи Direct-to-TLC, и это приводило к драматическому падению производительности накопителя, когда при записи данных заканчивалось место в SLC-кеше. Кроме того, в первых версиях прошивок для SSD 540s присутствовали откровенные баги, из-за которых накопитель при интенсивной нагрузке попросту зависал.

Но на этот раз никаких подобных проблем с микропрограммой не наблюдается. Программная часть Intel SSD 545s хорошо отлажена и оптимизирована; функция «Direct-to-TLC» работает, как ей и положено; да и вообще, новинка с полным правом претендует на то, чтобы потягаться силами с лучшими продуктами на TLC-памяти, например с тем же Samsung 850 EVO.

Во многом способствует этому новая 64-слойная интеловская память с трёхбитовыми ячейками, которая в SSD 545s пришла на смену планарной трёхбитовой памяти SK Hynix. Надо сказать, что 16-нм TLC NAND производства SK Hynix, которая устанавливалась в SSD 540s, – один из самых медленных вариантов современной флеш-памяти для твердотельных накопителей. Но и первая версия интеловской TLC 3D NAND, имеющая 32-слойный дизайн, не намного лучше. Например, она применяется в NVMe-накопителе Intel SSD 600p, который без особого труда удерживает звание самого медленного устройства в своём классе, и такому положению вещей во многом способствует именно интеловская трёхмерная флеш-память первого поколения.

Основная проблема 32-слойной TLC 3D NAND производства Intel заключается в том, что она имеет крупные 384-гигабитные ядра, которые требуют использования страниц увеличенного размера. Это создаёт определённые неудобства при операциях с данными и порождает дополнительные задержки. К тому же не являющийся степенью двойки объём кристаллов 32-слойной TLC 3D NAND приводит к тому, что в SSD приходится использовать массивы флеш-памяти со странной несимметричной конфигурацией каналов либо же вообще полностью отключать у контроллеров часть каналов.

Работая над второй версией TLC 3D NAND, компания Intel учла предыдущие просчёты, и память с удвоенным числом слоёв получила не 768-гигабитные ядра, как предполагалось изначально, а гораздо более удобные для использования в составе SSD кристаллы объёмом 256 Гбит. Это, безусловно, повысило их себестоимость, но тем не менее интеловская 64-слойная TLC 3D NAND всё равно выгодна в производстве: не стоит забывать об уникальной технологии CuA (CMOS Under-the-Array), которая позволяет помещать управляющую логику под матрицей ячеек флеш-памяти, что дополнительно сокращает площадь кристаллов и увеличивает их плотность.

В результате Intel SSD 545s выглядит очень привлекательно. Суммируя всё вышесказанное, можно заключить, что в нём проведён в жизнь очень убедительный набор позитивных перемен, ставящих его на голову выше Intel SSD 540s. Вместо контроллера SM2258 используется более новый чип SM2259 с увеличенной производительностью; прошивка значительно оптимизирована и получила поддержку режима Direct-to-TLC; а вместо медленной планарной TLC NAND производства SK Hynix применяется собственная интеловская 64-слойная TLC 3D NAND с архитектурой, подогнанной под потребности SSD. Всё это, естественно, сказалось на характеристиках, которые у новинки выглядят следующим образом:

Производитель	Intel
Серия	SSD 545s
Модельный номер	SSDSC2KW128G8	SSDSC2KW256G8	SSDSC2KW512G8
Форм-фактор	2,5 дюйма
Интерфейс	SATA 6 Гбит/с
Ёмкость, Гбайт	128	256	512
Конфигурация
Флеш-память: тип, техпроцесс, производитель	Intel 64-слойная 256-Гбит 3D TLC NAND
Контроллер	SMI SM2259
Буфер: тип, объём	DDR3L-1600, 256 Мбайт	DDR3L-1600, 256 Мбайт	DDR3L-1600, 512 Мбайт
Производительность
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения, Мбайт/с	550	550	550
Макс. устойчивая скорость последовательной записи, Мбайт/с	380	500	500
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS	70000	75000	75000
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS	85000	85000	85000
Физические характеристики
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись, Вт	0,05/4,5
MTBF (среднее время наработки на отказ), млн ч	1,6
Ресурс записи, Тбайт	72	144	288
Габаритные размеры: Д × В × Г, мм	100,45 × 69,85 × 7
Масса, г	47,5
Гарантийный срок, лет	5

Прогресс по сравнению с Intel SSD 540s очевиден даже по паспортным показателям, которые учитывают технологию SLC-кеширования. Но лучше всего о том, насколько новая платформа с трёхмерной памятью Intel второго поколения может быть производительнее предшественницы с планарной памятью SK Hynix, может сказать практическое измерение скорости 512-гигабайтной версии Intel SSD 545s при непрерывной последовательной записи.

SLC-кеш, у Intel SSD 545s статический, а его объём составляет около 1,5 Гбайт на каждые 128 Гбайт ёмкости. Таким образом, 512-гигабайтная версия этого SSD может записывать на высокой скорости, ограничиваемой лишь пропускной способностью SATA-интерфейса, до 6 Гбайт данных. Затем производительность падает, но совсем незначительно. Массив памяти этого SSD может принимать данные со скоростью порядка 410 Мбайт/с и без всякого кеширования. Понятно, что у накопителей меньшей ёмкости эта величина будет ниже, но всё равно результат впечатляет, поскольку и трёхмерная интеловская флеш-память первого поколения, и планарная TLC NAND в Intel SSD 540s при прямой записи выдавали вчетверо более низкие показатели. Пожалуй, справедливо будет говорить, что из памяти с трёхбитовыми ячейками быстрее 64-слойной TLC 3D NAND компании Intel в составе потребительских SATA SSD работает лишь трёхмерная память компании Samsung, которую она ставит в накопители серии 850 EVO.

Справедливости ради стоит заметить, что в спецификациях Intel SSD 545s можно найти параметры, по которым этот накопитель уступает предшествующей модели, SSD 540s. Это – ширина модельного ряда. В то время как SSD 540s существует в версиях объёмом до 1 Тбайт, ёмкость самого вместительного Intel SSD 545s ограничивается величиной 512 Гбайт. Но так будет продолжаться недолго. На самом деле Intel планирует постепенно расширять ассортимент и добавить в серию 545s модификации объёмом 1 и 2 Тбайт. Препятствие лишь в том, что пока производство 64-слойной флеш-памяти у Intel носит несколько ограниченный характер, и на ёмкие модификации банально не хватает исходного материала.

К тому же и имеющиеся версии Intel SSD 545s пользуются немалой популярностью у пользователей. В кои-то веки у Intel получилась весьма достойная по характеристикам массовая модель SSD, цена которой представляется почти адекватной (с поправкой на торговую марку Intel). Конечно, тот же универсальный Samsung 850 EVO на базе 64-слойной TLC 3D NAND сейчас можно купить несколько дешевле, но следует учитывать, что у новинки Intel есть свои преимущества, например более либеральные условия гарантийного обслуживания. В частности, предельно допустимый объём записи превышает самсунговские рамки примерно вдвое, а срок гарантии составляет те же самые пять лет.

Intel, похоже, придерживается весьма высокого мнения о надёжности собственной 64-слойной TLC 3D NAND, использующей ячейки с плавающим затвором. Об этом говорит не только продолжительная гарантия, но и то, что в SSD 545s сильно урезан объём резервной области. Ёмкости накопителей, входящих в модельный ряд SSD 545s, кратны 128 Гбайт, а это значит, что пользователю недоступно лишь около 7 процентов от общего объёма флеш-памяти. Если из этого вычесть пространство, используемое для SLC-кеширования, то получится, что доля резервных ячеек составляет лишь чуть более 3 процентов — такой скромный запас можно встретить нечасто.

⇡#Внешний вид и внутреннее устройство

Итак, Intel SSD 545s – это типичный SATA SSD среднего уровня, имеющий в своей основе новую интеловскую 64-слойную TLC 3D NAND, которую на данный момент можно встретить исключительно в этом накопителе и нигде больше. Для тестирования этой многообещающей модели мы выбрали старшую на данный момент модификацию с объёмом 512 Гбайт. Она имеет достаточный уровень параллелизма для того, чтобы раскрыть весь потенциал спроектированной компанией Intel аппаратной платформы нового поколения.

Внешность Intel SSD 545s немного необычна. В нём используется новый тип корпуса, который до сих не встречался нам ни в продуктах Intel, ни среди решений других производителей. В отличие от SSD 540s верхняя поверхность корпуса накопителя получила углублённую каёмку по контуру, а его нижняя часть изготовлена из другого сплава. В то же время корпус остался полностью металлическим, что полезно для теплоотвода.

Необходимая маркировка и техническая информация о накопителе представлены на наклейке на нижней части SSD. Она имеет чуть лучшую, чем обычно, информативность. Помимо базовых данных здесь сообщается версия предустановленной на заводе прошивки. Если учесть, что Intel достаточно часто обновляет микропрограммы своих SSD, такая информация может иметь определённую ценность.

При вскрытии Intel SSD 545s обнаруживается весьма любопытная деталь: производитель не поскупился на теплопроводящие прокладки, которыми оказался снабжён не только контроллер, но и микросхемы флеш-памяти. Однако это совсем не значит, что компоненты сильно греются. В процессе практического тестирования температуры микросхем не выходили за 50 градусов даже при самой сильной нагрузке.

Массив флеш-памяти в Intel SSD 545s набран четырьмя микросхемами, каждая из которых содержит по четыре полупроводниковых кристалла 64-слойной TLC 3D NAND ёмкостью по 256 Гбит. Таким образом, четырёхканальный контроллер SMI SM2259 работает с массивом памяти с четырёхкратным чередованием.

Помогает контроллеру динамическая память DDR3L-1600 SDRAM, необходимая для буферизации обращений к таблице трансляции адресов и мелкоблочных операций. Её объём – абсолютно типичный. Так, в накопителе ёмкостью 512 Гбайт используется 512-мегабайтный DRAM-буфер, представленный одним чипом производства SK Hynix.

Все компоненты, составляющие конструкцию Intel SSD 545s, смогли уместиться на текстолите половинного размера. Мы видели платы 2,5-дюймовых SSD и поменьше, но Intel, судя по всему, не стремилась экономить на мелочах. И действительно, SSD 545s для накопителя среднего ценового диапазона действительно сделан нарочито добротно. Чего, например, стоят термопрокладки и собранный с помощью винтов полностью металлический корпус.

Компания Intel традиционно снабжает свои накопители достаточно функциональной утилитой SSD Toolbox, которая в последних версиях совместима и с Intel SSD 545s. По возможностям она во многом похожа на другие подобные программы. Так, утилита не только позволяет получить подробную информацию о состоянии накопителя, но и имеет целый набор дополнительных инструментов для его настройки и оптимизации.

Например, с её помощью можно отослать на накопитель пакет команд TRIM – в интерфейсе SSD Toolbox эта функция называется SSD Optimizer. Причём это действие сервисная утилита может выполнять не только одноразово, но и в автономном режиме по расписанию.

В SSD Toolbox есть возможность диагностического сканирования, во время которого можно проверить состояние и работоспособность флеш-памяти. Сканирование выполняется как в быстром, так и в полном режиме – разница состоит в том, затронет ли проверка весь массив флеш-памяти или лишь какую-то его часть.

Также с помощью SSD Toolbox можно проверить актуальность используемой накопителем микропрограммы и инициировать операцию Secure Erase (только в Windows 7).

Фирменная особенность интеловской сервисной утилиты – средство System Tuner. С его помощью можно посмотреть, какие критичные настройки, касающиеся дисковой подсистемы, имеются в операционной системе, а также получить рекомендации по их изменению.

Specifications

Compare Intel® Products

Essentials

Product Collection IntelВ® SSD 545s Series
Code Name Products formerly Liberty Harbor
Capacity 128 GB
Status Launched
Launch Date Q4’17
Lithography Type 3D2 TLC
Off Roadmap No

Performance

Sequential Read (up to) 550 MB/s
Sequential Write (up to) 440 MB/s
Random Read (8GB Span) (up to) 70000 IOPS
Random Write (8GB Span) (up to) 80000 IOPS
Latency — Read 50 Вµs
Latency — Write 60 Вµs
Power — Active 4.5W
Power — Idle 50mW

Reliability

Vibration — Operating 2.17 GRMS (5-700Hz)
Vibration — Non-Operating 3.13 GRMS (5-800Hz)
Shock (Operating and Non-Operating) 1500 G(Max) at 0.5 msec
Operating Temperature Range 0В°C to 70В°C
Operating Temperature (Maximum) 70 В°C
Operating Temperature (Minimum) 0 В°C
Endurance Rating (Lifetime Writes) 72 TBW
Mean Time Between Failures (MTBF) >= 1.6 million hours
Uncorrectable Bit Error Rate (UBER)
Warranty Period 5 yrs

Supplemental Information

Datasheet View now
Product Brief View now

Package Specifications

Weight 35 grams
Form Factor 2.5" 7mm
Interface SATA 3.0 6Gb/S

Advanced Technologies

Enhanced Power Loss Data Protection No
Hardware Encryption AES 256 bit
High Endurance Technology (HET) No
Temperature Monitoring and Logging No
End-to-End Data Protection Yes
IntelВ® Smart Response Technology Yes
IntelВ® Rapid Start Technology Yes
IntelВ® Remote Secure Erase No

Ordering and Compliance

Ordering and spec information

IntelВ® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Retail Box 10 Pack

MM# 959544
Ordering Code SSDSC2KW128G8XT

IntelВ® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Generic 50 Pack

MM# 959546
Ordering Code SSDSC2KW128G8

IntelВ® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Retail Box Single Pack

MM# 959542
Ordering Code SSDSC2KW128G8X1

Trade compliance information

ECCN 5A992C
CCATS G160321
US HTS 8523510000

PCN/MDDS Information

959544 PCN | MDDS
959546 PCN | MDDS
959542 PCN | MDDS

Downloads and Software

Launch Date

The date the product was first introduced.

Sequential Read (up to)

Speed with which the device is able to retrieve data that forms one contiguous, ordered block of data. Measured in MB/s (MegaBytes per Second)

Sequential Write (up to)

Speed with which the device is able to record data into one contiguous, ordered block of data. Measured in MB/s (MegaBytes per Second)

Random Read (8GB Span) (up to)

Speed with which the SSD is able to retrieve data from arbitrary locations in the memory, within 8GB of LBA (Logical Block Address) range on the drive. Measured in IOPS (Input/Output Operations Per Second)

Random Write (8GB Span) (up to)

Speed with which the SSD is able to record data to arbitrary locations in the memory, within 8GB of LBA (Logical Block Address) range on the drive. Measured in IOPS (Input/Output Operations Per Second)

Latency — Read

Read Latency indicates the elapsed time to execute a data retrieval task. Measured in micro-seconds.

Latency — Write

Write Latency indicates the elapsed time to execute a data record task. Measured in micro-seconds.

Power — Active

Active Power indicates typical power consumption of the device when operating.

Power — >Idle Power indicates typical power consumption of the device when idle.

Vibration — Operating

Operating Vibration indicates the tested capability of the SSD to withstand the reported vibration in the operating state and remain functional. Measured in G-force RMS (Root Mean Square)

Vibration — Non-Operating

Non-Operating Vibration indicates the tested capability of the SSD to withstand the reported vibration in the non-operating state and remain functional. Measured in G-force RMS (Root Mean Square)

Shock (Operating and Non-Operating)

Shock indicates the tested capability of the SSD to withstand the reported shock in both operating and non-operating states and remain functional. Measured in G-force (Max)

Endurance Rating (Lifetime Writes)

Endurance rating indicates the expected data storage cycles to be expected over the life of the device.

Mean Time Between Failures (MTBF)

MTBF (Mean Time Between Failures) indicates the expected elapsed operating time between failures. Measured in hours.

Uncorrectable Bit Error Rate (UBER)

Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) indicates the number of uncorrectable bit errors divided by the total number of transferred bits during a tested time interval.

Form Factor

Form factor indicates the industry standard size and shape of the device.

Interface

Interface indicates the industry standard bus communication method employed by the device.

Enhanced Power Loss Data Protection

Enhanced Power Loss Data Protection prepares the SSD for unexpected system power loss by minimizing data in transition in temporary buffers, and uses on-board power-loss protection capacitance to provide enough energy for the SSD firmware to move data from the transfer buffer and other temporary buffers to the NAND, thus protecting system and user data.

Hardware Encryption

Hardware encryption is data encryption done at the drive level. This is used to ensure that the data stored on the drive is secured from unwanted intrusion.

High Endurance Technology (HET)

High Endurance Technology (HET) in SSD’s combines IntelВ® NAND Flash Memory silicon enhancements and SSD system management techniques to help extend the endurance of the SSD. Endurance is defined as the amount of data that can be written to an SSD during its lifetime.

Temperature Monitoring and Logging

Temperature Monitoring and Logging uses an internal temperature sensor to monitor and log airflow and device internal temperature. The logged results can be accessed using the SMART command.

End-to-End Data Protection

End-to-End Data Protection ensures integrity of stored data from the computer to the SSD and back.

IntelВ® Smart Response Technology

IntelВ® Smart Response Technology combines the fast performance of a small solid state drive with the large capacity of a hard disk drive.

IntelВ® Rap >IntelВ® Rapid Start Technology allows quick system resumes from the hibernate state.

IntelВ® Remote Secure Erase

IntelВ® Remote Secure Erase provides IT administrators a secure method for remotely wiping an Intel SSD from a familiar management console when retiring or repurposing a system. This allows for immediate re-use while saving administrative time and costs.

More support options for IntelВ® SSD 545s Series (128GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC)

Need more help?

Give Feedback

Our goal is to make the ARK family of tools a valuable resource for you. Please submit your comments, questions, or suggestions here. You will receive a reply within 2 business days.

Your comments have been sent. Thank you for your feedback.

Your personal information will be used to respond to this inquiry only. Your name and email address will not be added to any mailing list, and you will not receive email from Intel Corporation unless requested. Clicking вЂSubmitвЂ™ confirms your acceptance of the Intel Terms of Use and understanding of the Intel Privacy Policy.

All information provided is subject to change at any time, without notice. Intel may make changes to manufacturing life cycle, specifications, and product descriptions at any time, without notice. The information herein is provided "as-is" and Intel does not make any representations or warranties whatsoever regarding accuracy of the information, nor on the product features, availability, functionality, or compatibility of the products listed. Please contact system vendor for more information on specific products or systems.

Intel classifications are for informational purposes only and consist of Export Control Classification Numbers (ECCN) and Harmonized Tariff Schedule (HTS) numbers. Any use made of Intel classifications are without recourse to Intel and shall not be construed as a representation or warranty regarding the proper ECCN or HTS. Your company as an importer and/or exporter is responsible for determining the correct classification of your transaction.

Refer to Datasheet for formal definitions of product properties and features.

‡ This feature may not be available on all computing systems. Please check with the system vendor to determine if your system delivers this feature, or reference the system specifications (motherboard, processor, chipset, power supply, HDD, graphics controller, memory, BIOS, drivers, virtual machine monitor-VMM, platform software, and/or operating system) for feature compatibility. Functionality, performance, and other benefits of this feature may vary depending on system configuration.

вЂњAnnouncedвЂќ SKUs are not yet available. Please refer to the Launch Date for market availability.

IntelВ® Smart Response Technology requires a select IntelВ® Coreв„ў processor, an enabled chipset, IntelВ® Rapid Storage Technology software, and a properly configured hybrid drive (HDD + small SSD). Depending on system configuration, your results may vary. Contact your system manufacturer for more information.

IntelВ® Rapid Start Technology requires a select IntelВ® processor, IntelВ® software and BIOS update, and a Solid-State Drive (SSD) or hybrid drive. Depending on system configuration, your results may vary. Contact your system manufacturer for more information.