Меню Закрыть

C5027 характеристики на русском

Содержание

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Хочешь жить в согласии — соглашайся.
Правило Рейберна

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
1250 700 600 9 2000 150 5000000 5-40

Производитель: ATE
Сфера применения:
Популярность: 10711
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора C5027S

Общий вид транзистора C5027S. Цоколевка транзистора C5027S.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-11 09:48:42.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора C5027S.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор KSC5027 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSC5027

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Читайте также:  Dying light все dlc

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO220

KSC5027 Datasheet (PDF)

1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi

KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C

1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1100 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттера-база 7 В
Ic Ток коллектора постоянный 3,0 А
Ip Ток коллектора импульсный 10,0 А
Ib Ток базы 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 В 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 10 мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,2 А 10 40
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А 8
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А 2 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А 1,5 В
tON Время включения Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А 0,5 мкс
fT Граничная частота эффективного усиления Vce = 10 В, Ic = 0,2 А 15 МГц
Tf Время спада импульса RI = 200 Ом 0,3 мкс
N O
10 20 20 40
Читайте также:  Чем открыть dll для просмотра

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

«>

Рекомендуем к прочтению

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.