Содержание
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора C5027SЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний |
Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
1250 | 700 | 600 | 9 | 2000 | 150 | 5000000 | 5-40 |
Производитель: ATE
Сфера применения:
Популярность: 10711
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора C5027S
Общий вид транзистора C5027S. | Цоколевка транзистора C5027S. |
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-11 09:48:42.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора C5027S.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор KSC5027 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5027
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
KSC5027 Datasheet (PDF)
1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi
KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung
KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C
1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung
KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме
Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1100 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 7 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 3,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 10,0 | А |
Ib | Ток базы | — | — | — | 1,5 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 800 В, Ie = 0 В | — | — | 10 | мкА |
Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 10 | мкА |
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,2 А | 10 | — | 40 | ||
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А | 8 | — | — | |||
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А | — | — | 2 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А | — | — | 1,5 | В |
tON | Время включения | Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А | — | — | 0,5 | мкс |
fT | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 0,2 А | — | 15 | — | МГц |
Tf | Время спада импульса | RI = 200 Ом | — | — | 0,3 | мкс |
N | O | |||||
10 20 | 20 40 |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
«>